- 還元酸化グラフェン（RGO）とポリビニルアルコール（PVA）をドープしたコバルトフェライト（CF）界面層をn型シリコン上の金属-誘電体-半導体（MIS）ショットキー素子に組み込み、その温度依存電気特性を包括的に評価することを目的とした。
n型Si MISショットキー素子におけるRGO/PVAドープCF界面層の温度感度と温度依存I–V解析
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